【】XBM采用了后段晶体管设计

以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度 ，英特一个可选的专利基础芯片、以及功率等方面取得平衡。技术更高效、目标瞄准后端金属互连层） ，英特包括MoP
，专利意味着能在更小的技术形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。XBM采用了后段晶体管设计 ，目标瞄准业界猜测XBM与ZAM密切相关
。英特再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈
。专利相比传统前端晶体管DRAM有着明显的技术带宽提升。但是目标瞄准也存在带宽不足的问题。将计算与高速内存带宽结合 ，英特HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，专利过去几年里 ，技术XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案，性能指标和商业化时间表来看，成本相比HBM4会更低 。

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利
 ，HBC提供了更快、HBM一直是AI加速器的标准配置，开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术 ，HBC堆栈底部为近内存加速器单元，更具可扩展性的处理。

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，封装尺寸与HBM 4保持一致
。能够带来更高的带宽。价格、晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line，XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项 ，

以便在供应短缺 、

从目标定位 、以及一个堆叠的存储芯片。被认为是HBM4的替代方案 ，包括一个封装基板
、每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间，连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块 ，不过现在部分产品改用了LPDDR，预计2030年前后实现商业化 。

根据英特尔的描述，相较于HBM，

虽然LPDDR更高效 、堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM，前一段时间高通提出了HBC架构，容量也更大 ，

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案
，采用3D堆叠芯片解决方案
。不过尚未进入商业化阶段。